BLM8G0710S-15PB 2 ຂັ້ນຕອນຂອງພາກສອງພະລັງງານ MMIC

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ (Tcase=25°C, VDS=28V, 1-carrier W-CDMA)

• ຊ່ວງຄວາມຖີ່: 700 MHz ~ 1000 MHz
• Drain Supply Voltage (VDS): 28 V (Typ.), Max 32 V
• Quiescent Current：I_Dq1=15 mA (ຄົນຂັບ); I_Dq2=60 mA (ສຸດທ້າຍ)
• ພະລັງງານອອກສະເລ່ຍ: 1.5 W (W‑CDMA, PAR=9.9 dB)
• ພະລັງງານອອກ P1dB: 23.3 W (43.7 dBm, ປະເພດ.)
• ການຮັບພະລັງງານ: 36 dB (ປະເພດ)
• ປະສິດທິພາບການລະບາຍນໍ້າ: 27% (ປະເພດ)
• Linearity (ACPR5M): -41 dBc (ປະເພດ)
• ການຫຸ້ມຫໍ່: SOT1211-3 (16 ນໍາ, ປະເພດເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນແບບຮາບພຽງ)
• ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ (Junction to Case): 7.5 K/W
• ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ​: ການ​ຈັບ​ຄູ່​ກ່ຽວ​ກັບ​ຊິບ​, ຄວາມ​ລໍາ​ອຽງ​ການ​ຊົດ​ເຊີຍ​ອຸນ​ຫະ​ພູມ​, ການ​ປົກ​ປັກ​ຮັກ​ສາ ESD​, ການ​ແຍກ​ສູງ​.

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ

• LDMOS ລຸ້ນທີ 8, ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງແບບປະສົມປະສານ 2 ຂັ້ນຕອນ: ການເພີ່ມສູງ, ເສັ້ນຊື່ & ຄວາມໝັ້ນຄົງຂອງບຣອດແບນ;
• ພື້ນທີ່ກວ້າງ 700–1000 MHz ສໍາລັບ 4G LTE, 5G NR, 3G W-CDMA;
• ການຈັບຄູ່ On-chip I/O ກໍາຈັດວົງຈອນພາຍນອກທີ່ຊັບຊ້ອນ, ເຮັດໃຫ້ການອອກແບບງ່າຍ ແລະຫຼຸດວົງຈອນ;
• ການແຍກພອດຫາພອດສູງ (29 dB) ຮອງຮັບການໂດດດ່ຽວ / ສອງພາກ / Doherty / push-pull topologies;
• ອະຄະຕິການຊົດເຊີຍອຸນຫະພູມແບບປະສົມປະສານຮັບປະກັນຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະຫຼຸດຜ່ອນຄວາມພະຍາຍາມປັບ;
• ການປ້ອງກັນ ESD ໃນຕົວ, ສອດຄ່ອງກັບ RoHS, ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປ

• Sub-1GHz (700–1000 MHz) macro base driver station (ສຳລັບ 350W/500W Doherty transistors);
• 4G / 5G ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງຂັ້ນສຸດທ້າຍ / pico cell ຂະຫນາດນ້ອຍ;
• ໄຮ້ສາຍສ່ວນຕົວ, ຄວາມປອດໄພສາທາລະນະ, ISM band 10–20W ເຄື່ອງສົ່ງສັນຍານ RF.

ຄໍານິຍາມເລກສ່ວນ

• BLM: ພະລັງງານອະເນກປະສົງ MMIC
• 8: ຂະບວນການ LDMOS ລຸ້ນທີ 8
• G​: ຄົນ​ຂັບ​ຈຸດ​ປະ​ສົງ​ທົ່ວ​ໄປ / ຊັ້ນ​ຫ້ອງ​ຂະ​ຫນາດ​ນ້ອຍ​
• 0710:700–1000 MHz ຄື້ນຄວາມຖີ່
• S​: ສະ​ບັບ​ມາດ​ຕະ​ຖານ​
• ລະດັບພະລັງງານ 15:15W (P1dB)
• PB：SOT1211-3 ຊຸດຕິດຄວາມຮ້ອນແບບຮາບພຽງ