BLM9D1822-30B LDMOS AMPLEON ລຸ້ນທີ 9

Get Latest Price

Min ຄໍາສັ່ງ:

ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້

ລາຍະລະອຽດສິນຄ້າ

ຄຸນລັກສະນະຂອງ�...

ການຫຸ້ມຫໍ່ແລະ�...

ລາຍະລະອຽດສິນຄ�...

ຄຸນລັກສະນະຂອງ�...

ຮຸ່ນ No: BLM9D1822-30B BLM9D1822-30BZ

ຍີ່ຫໍ້: AMPLEON

ການຫຸ້ມຫໍ່ແລະ�...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

ລາຍະລະອຽດສິນຄ�...

BLM9D1822-30BZ ແມ່ນລຸ້ນທີ 9 LDMOS 2-stage ປະສົມປະສານ Doherty MMIC ຈາກ Ampleon (ເນເທີແລນ), ປັບໃຫ້ເໝາະສົມກັບເຊລນ້ອຍ 4G/5G, ໄລຍະໄດເວີສະຖານີມະຫາພາກ, ແລະການຂະຫຍາຍ RF ທົ່ວໄປໃນແຖບ 1.8–2.2 GHz. ມັນສະຫນອງການເຊື່ອມໂຍງສູງ, ການປະຕິບັດຄວາມກວ້າງຂວາງ, ປະສິດທິພາບສູງ, ແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງ.

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

ຜູ້ຜະລິດ: Ampleon (ເນເທີແລນ)
ຈໍານວນສ່ວນ : BLM9D1822-30BZ
ຊ່ວງຄວາມຖີ່: 1800–2200 MHz
ພະລັງງານຜົນຜະລິດສະເລ່ຍ (PAVG): 30 W @ 28 V (Doherty)
ກໍາລັງຜົນຜະລິດອີ່ມຕົວ (Psat): 39 W (ປົກກະຕິ)
ການຮັບພະລັງງານ (Gp): 28.5 dB (ປົກກະຕິ)
Drain Supply Voltage (VDS): 28 V
ຊຸດ: PQFN20 (SOT1462-1)
ເທັກໂນໂລຍີ: LDMOS ລຸ້ນທີ 9 (ຊິລິຄອນ)
ແອັບພລິເຄຊັ່ນ: 1.8–2.2 GHz small cell/macro driver stages, Doherty amplifiers
ສະຖານະພາບ: ໃນການຜະລິດ

ຄຸນສົມບັດ

ປະສົມປະສານສູງ Doherty: ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ 2 ຂັ້ນຕອນ + ຕົວແຍກການປ້ອນຂໍ້ມູນ + ຕົວຜະສົມຜະສານຜົນຜະລິດໃນຊິບດຽວ, ເຮັດໃຫ້ການອອກແບບງ່າຍດາຍ.
ການໃຊ້ງານບໍລະອົດແບນ: 1.8–2.2 GHz ກວມເອົາ GSM/W‑CDMA/LTE/5G ຫຼາຍແບນ.
High Gain & Efficiency: 28.5 dB gain + ປະສິດທິພາບສູງໃນການຕັ້ງຄ່າ Doherty, ຫຼຸດຜ່ອນການໃຊ້ພະລັງງານ.
ຄວາມລຳອຽງແບບເອກະລາດ: ການຄວບຄຸມຄວາມລຳອຽງຂອງຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ/ຈຸດສູງສຸດທີ່ແຍກຕ່າງຫາກເພື່ອຄວາມສອດຄ່ອງ ແລະ ປະສິດທິພາບສູງສຸດ.
ຄວາມທົນທານສູງ: ທົນທານຕໍ່ຄວາມບໍ່ສອດຄ່ອງຂອງ VSWR ສູງ; ການປ້ອງກັນ ESD ປະສົມປະສານສໍາລັບຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງ.
ຜົນກະທົບຄວາມຈໍາຕ່ໍາ: ການປະຕິບັດ DPD ທີ່ດີເລີດສໍາລັບສັນຍານ modulated ສະລັບສັບຊ້ອນ.
50 Ω Matched: 50 Ω input / output ສໍາລັບການເຊື່ອມໂຍງລະບົບງ່າຍ.
ປະສິດທິພາບຄວາມຮ້ອນທີ່ເໜືອກວ່າ: ຊຸດ pad exposed PQFN ທີ່ມີຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຕໍ່າແລະການລະບາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ.
RoHS Compliant: ເປັນມິດກັບສິ່ງແວດລ້ອມ, ສອດຄ່ອງກັບຄໍາແນະນໍາຂອງ EU RoHS.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

4G LTE & 5G NR Small Cells: ການຂະຫຍາຍພະລັງງານສຸດທ້າຍສຳລັບລະບົບໄຮ້ສາຍແຖບ 1.8–2.2 GHz.
ໄດເວີສະຖານີ Macro Base: ໄດເວີທີ່ມີລາຍໄດ້ສູງສໍາລັບ transistors LDMOS ທີ່ມີພະລັງງານສູງ.
ໂຄງສ້າງພື້ນຖານໄຮ້ສາຍ: ຫຼາຍຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ, ສະຖານະການຂະຫຍາຍ RF ຫຼາຍມາດຕະຖານ.
Doherty Amplifiers: ເຫມາະສໍາລັບສະຖາປັດຕະຍະກໍາ Doherty PA ທີ່ຫນາແຫນ້ນ, ປະສິດທິພາບສູງ.

ຜະລິດຕະພັນຮ້ອນ