BLM7G1822S-40PBG RF FET LDMOS

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ

• ປະສິດທິພາບ RF: ດໍາເນີນການຢູ່ທີ່ 1805-2170MHz, ສະຫນອງພະລັງງານ 40W (46dBm) P1dB ອີ່ມຕົວທີ່ມີ ≥31.5dB ປົກກະຕິ, ແຮງດັນໄຟຟ້າ 28V (ສູງສຸດ 65V), ≥26.5% ປະສິດທິພາບການລະບາຍນ້ໍາປົກກະຕິ, ສະຫນັບສະຫນູນ multi-carrier ແລະ DPD linearization ທີ່ດີເລີດ.
• ການປະສົມປະສານສູງ: ການອອກແບບສອງພາກທີ່ມີການເຊື່ອມຕໍ່ຂາເຂົ້າ / ຜົນຜະລິດປະສົມປະສານ, ມາດຕະຖານ 50Ω impedance ກໍາຈັດການຈັບຄູ່ພາຍນອກທີ່ສັບສົນ, ເຮັດໃຫ້ການອອກແບບ PCB ງ່າຍດາຍ; ວົງຈອນອະຄະຕິທີ່ຊົດເຊີຍອຸນຫະພູມໃນຕົວເພື່ອຄວາມໝັ້ນຄົງທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນ.
• ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື & ການປົກປ້ອງ: ປະສົມປະສານ ESD ປ້ອງກັນ, ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມ junction ສູງແລະການໂຫຼດ mismatch, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ປະຕິບັດຕາມ RoHS; decoupling pins ປັບປຸງປະສິດທິພາບແບນວິດວິດີໂອສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ wideband.
• ຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ໃນການອອກແບບ: ຮອງຮັບຄື້ນຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (CW) ແລະໂຫມດກໍາມະຈອນ, ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບ symmetric / asymmetric Doherty ແລະ topologies ວົງຈອນດຽວ, ເຫມາະສໍາລັບ 1.8GHz / 2.1GHz band base driver ແລະເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງຂັ້ນສຸດທ້າຍ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປ

• ສະຖານີຖານ 4G/5G RF driver/ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງຂັ້ນສຸດທ້າຍ (ແຖບ 1805–2170MHz)
• ໂມດູນຂະຫຍາຍພະລັງງານ Doherty ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງສໍາລັບລະບົບການສື່ສານຫຼາຍສາຍ W-CDMA/LTE
• 1.8–2.17GHz ໂຄງສ້າງພື້ນຖານການສື່ສານໄຮ້ສາຍ RF transmitters
• ເຄື່ອງສົ່ງໂທລະທັດ ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ RF ອຸດສາຫະກໍາ (ແຖບ ISM)