BLM10D1822-60ABGZ RF MOSFET LDMOS

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຜູ້ຜະລິດ: Ampleon
• ຈໍານວນສ່ວນ : BLM10D1822-60ABGZ
• ຊ່ວງຄວາມຖີ່: 1800～2200 MHz
• ພະລັງງານຜົນຜະລິດສະເລ່ຍປົກກະຕິ: 60 W
• ພະລັງງານຜົນຜະລິດອີ່ມຕົວ: 75 W ປົກກະຕິ
• ການຮັບພະລັງງານ: 30 dB ປົກກະຕິ
• ປະສິດທິພາບການລະບາຍນໍ້າ: 48% ປົກກະຕິ (ຢູ່ທີ່ພະລັງງານສະເລ່ຍ 60 W)
• ແຮງດັນໄຟຟ້າ: 28 V
• ການຫຸ້ມຫໍ່: PQFN20 (gull-wing, ຫນ້າດິນ)
• ເທັກໂນໂລຍີ: ຊິລິໂຄນລຸ້ນທີ 10 LDMOS (GEN10 LDMOS)
• ສະຖານະ: ໃນການຜະລິດ (Z = ບໍ່ມີສານຕະກົ່ວ)

ຄຸນສົມບັດ

1. ເທັກໂນໂລຍີ LDMOS ລຸ້ນທີ 10, ການເຊື່ອມໂຍງສອງຂັ້ນຕອນຂອງ Doherty single-chip ກັບຜູ້ໃຫ້ບໍລິການເອກະລາດ / ເສັ້ນທາງສູງສຸດ.
2. ຂອບເຂດກວ້າງ 1.8G～2.2G, ຮອງຮັບ GSM, LTE, 5G NR n1/n3 ລະບົບຫຼາຍມາດຕະຖານ.
3. ໄດ້ຮັບສູງ, ເສັ້ນກົງທີ່ດີເລີດ, ຜົນກະທົບຄວາມຊົງຈໍາຕ່ໍາ, DPD-ພ້ອມສໍາລັບການ linearization ທີ່ດີທີ່ສຸດ.
4. ຕົວແຍກການປ້ອນຂໍ້ມູນແບບປະສົມປະສານ/ຕົວແຍກຜົນອອກ, 50 Ω ຈັບຄູ່ກ່ອນ, BOM ໜ້ອຍທີ່ສຸດ, ບໍ່ມີການປັບແຕ່ງທີ່ຊັບຊ້ອນ.
5. ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການເອກະລາດ/ອະຄະຕິສູງສຸດສຳລັບປະສິດທິພາບທີ່ມີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ/ການເພີ່ມປະສິດທິພາບເສັ້ນຊື່.
6. ການປ້ອງກັນ ESD ແບບປະສົມປະສານ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ຄວາມທົນທານ VSWR ສູງສໍາລັບຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

• ສະຖານີຖານມະຫາພາກ 4G/5G ແລະເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງສຸດທ້າຍ mMIMO
• ການຂະຫຍາຍ RF ທີ່ມີພະລັງງານສູງສໍາລັບໂຄງສ້າງພື້ນຖານໄຮ້ສາຍ 1.8–2.2 GHz
• ຂັ້ນ​ຕອນ​ຂອງ​ການ​ຂັບ​ລົດ​ສະ​ຖາ​ນີ​ພື້ນ​ຖານ (ການ​ຂະ​ຫຍາຍ​ຕົວ​ລ່ວງ​ຫນ້າ​ສໍາ​ລັບ​ການ transistors ພະ​ລັງ​ງານ​ສູງ​)
• ໂມດູນເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ Doherty ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ, ເຄື່ອງສົ່ງສັນຍານ RF ທີ່ມີພະລັງສູງຂະໜາດກະທັດຮັດ