AMPLEON B11G3338N81DXZ MOSFET LDMOS

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊ່ວງຄວາມຖີ່: 3300 MHz ~ 3800 MHz
• Drain Supply Voltage (VDS): 28 V (Typ.)
• ພະລັງງານອອກ: 8 W (1-carrier LTE 20MHz, PAR=7.6dB)
• ການຮັບພະລັງງານ: 28 dB (ປະເພດ)
• ປະສິດທິພາບການລະບາຍນໍ້າ: 40% (ປະເພດ)
• ຫຸ້ມຫໍ່: PQFN-12x7-36-1 (36-lead, SMT ບໍ່ມີ lead)
• Input/Output Impedance: 50 Ω / 25 Ω (ປະສົມປະສານກ່ອນການແຂ່ງຂັນ)
• Biasing：ຜູ້ໃຫ້ບໍລິການເອກະລາດ/ອະຄະຕິສູງສຸດ; ສະຫຼັບປະຕູປະສົມປະສານ
• ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ: linearity ສູງ, ແບນວິດທັນທີກວ້າງ, ການປົກປ້ອງ ESD, DPD-ເຂົ້າກັນໄດ້

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ

• Doherty ປະສົມປະສານຢ່າງສົມບູນ: ປະກອບມີຕົວແຍກຂາເຂົ້າ, ຕົວຜະສົມຜົນຜະລິດ, ອຸປະກອນຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ / ສູງສຸດ, ແລະກ່ອນການແຂ່ງຂັນ - ຫຼຸດຜ່ອນສ່ວນປະກອບພາຍນອກ;
• ການອອກແບບ 3-stage + dual-section ສະຫນອງການເພີ່ມຂຶ້ນສູງແລະ linearity ສໍາລັບ 5G NR high-PAR signals;
• ການຄວບຄຸມອະຄະຕິທີ່ເປັນເອກະລາດສໍາລັບການເພີ່ມປະສິດທິພາບ / ການເພີ່ມປະສິດທິພາບເສັ້ນ; ສະຫຼັບປະຕູປະສົມປະສານເຮັດໃຫ້ຮູບແບບການປະຫຍັດພະລັງງານ;
• ຊຸດ PQFN ສະຫນອງການປະຕິບັດຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດແລະຮອຍຕີນຂະຫນາດນ້ອຍ, ເຫມາະສໍາລັບ mMIMO ຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງແລະເສົາອາກາດທີ່ມີການເຄື່ອນໄຫວ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປ

• 5G macro base station AAU/RRU driver amplifier ;
• 5G ຈຸລັງຂະຫນາດນ້ອຍ / pico cell ຂັ້ນສຸດທ້າຍ / ໄດເວີ;
• ໜ່ວຍເສົາອາກາດ 5G mMIMO;
• ເຄື່ອງສົ່ງສັນຍານການສື່ສານຄວາມຖີ່ 3.5GHz.

ຄໍານິຍາມເລກສ່ວນ

• B11：5G 3.3–5.0GHz ຄອບຄົວ LDMOS MMIC
• G：ແຖບຄວາມຖີ່ 3.3–3.8GHz
• 3338: 3300–3800MHz ໄລຍະ
• N​: ການ​ຕັ້ງ​ຄ່າ Doherty​
• 81D:8W ລະດັບພະລັງງານ, 3-stage, D-version