BLC8G21LS-160AVZ RF MOSFET LDMOS

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ

• ປະສິດທິພາບ RF: ດໍາເນີນການຢູ່ທີ່ 1805-2025MHz, ສະຫນອງພະລັງງານ 160W ປົກກະຕິທີ່ມີ ≥15dB ປົກກະຕິ, ແຮງດັນໄຟຟ້າ 65V (28V ແຮງດັນການທົດສອບ), ສະຫນັບສະຫນູນ multi-carrier ແລະ DPD linearization, ທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບ 4G / 5G base station ຄວາມຕ້ອງການ linearity ເຄັ່ງຄັດ.
• ໂຄງສ້າງ & ການຫຸ້ມຫໍ່: Dual-transistor common-source configuration, SOT1275-1 (DFM-6) base mount package with excellent thermal performance for high power density designs; ເຄືອຂ່າຍເຂົ້າກັນແບບປະສົມປະສານເຮັດໃຫ້ວົງຈອນພາຍນອກງ່າຍຂຶ້ນ.
• ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື & ການປົກປ້ອງ: ປ້ອງກັນ ESD ໃນຕົວ, ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມ junction ສູງແລະການໂຫຼດບໍ່ກົງກັນ, pins decoupling ປັບປຸງປະສິດທິພາບແບນວິດວິດີໂອ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ປະຕິບັດຕາມ RoHS.
• ຄວາມເຂົ້າກັນໄດ້ຂອງການອອກແບບ: ຮອງຮັບຄື້ນຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (CW) ແລະໂຫມດກໍາມະຈອນ, ເຫມາະສົມກັບວົງຈອນ Doherty symmetric / asymmetric, ເຫມາະສົມສໍາລັບ 1.8GHz / 2.1GHz band base station amplifiers ຂັ້ນຕອນສຸດທ້າຍ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປ

• ສະຖານີຖານ 4G/5G RF ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງຂັ້ນສຸດທ້າຍ (ແຖບ 1805–2025MHz)
• ໂມດູນຂະຫຍາຍພະລັງງານ Doherty ທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງສໍາລັບລະບົບການສື່ສານຫຼາຍສາຍ
• ໂຄງລ່າງພື້ນຖານການສື່ສານໄຮ້ສາຍແຖບ 1.8GHz/2.0GHz
• ເຄື່ອງສົ່ງໂທລະທັດແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ RF ອຸດສາຫະກໍາ