BLC10G18XS-400AVT RF MOSFET LDMOS

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ

• ປະສິດທິພາບ RF: ດໍາເນີນການຢູ່ທີ່ 1805–1880MHz, ສະຫນອງພະລັງງານສູງສຸດ 400W / 56W ພະລັງງານສະເລ່ຍທີ່ມີການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງ ≥16.5dB, 49% ປະສິດທິພາບປົກກະຕິ @28V / 49.5% @32V, ສະຫນັບສະຫນູນ multi-carrier ແລະ DPD linearization.
• Doherty-Optimized: ຄວາມອາດສາມາດຜົນຜະລິດຕ່ໍາເສີມຂະຫຍາຍ Doherty amplifier linearity ແລະການສູນເສຍກັບຄືນ; ຜົນ​ກະ​ທົບ​ຄວາມ​ຊົງ​ຈໍາ​ຕ​່​ໍ​າ​ເຮັດ​ໃຫ້​ຄວາມ​ສາ​ມາດ DPD ທີ່​ເຂັ້ມ​ແຂງ​ທີ່​ມີ​ການ​ບິດ​ເບືອນ​ສັນ​ຍານ​ຫນ້ອຍ (ACPR≤-29.5dBc​)​.
• Thermal & Reliability: ການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາສໍາລັບການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມ junction ສູງ; ການປ້ອງກັນ ESD ປະສົມປະສານ; ປະຕິບັດຕາມ RoHS, ທົນທານຕໍ່ VSWR = 10: 1 ການໂຫຼດບໍ່ກົງກັນສໍາລັບການດໍາເນີນງານທີ່ເຂັ້ມແຂງ.
• ຄວາມງ່າຍຂອງການອອກແບບ: ພາຍໃນທາງສ່ວນຫນ້າຂອງຈັບຄູ່ກັບ 50Ω simplifies circuitry ແລະຫຼຸດຜ່ອນເວລາ tuning; ຊຸດ SOT1258-4 ເຂົ້າກັນໄດ້ກັບການປະກອບອັດຕະໂນມັດ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປ

• 4G/5G macro base stations ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ RF ໃນແຖບ 1.8GHz
• ເຄື່ອງສົ່ງສັນຍານລະບົບການສື່ສານຫຼາຍສາຍ
• ໂຄງສ້າງພື້ນຖານການສື່ສານໄຮ້ສາຍ 1805–1880MHz