ສິນຄ້າທັງຫມົດ

DLC75B0R2BW501XT Ultra Low ESR RF Capacitor

0.2PF 1210 ± 0.1% 500V DLC75B0R2BW501XT Ultra Low ESR RF Capacitor ເປັນອົງປະກອບອີເລັກໂທຣນິກທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງທີ່ຖືກອອກແບບມາສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຄວາມຖີ່ວິທະຍຸຂັ້ນສູງ (RF), ມີຄວາມຫມັ້ນຄົງພິເສດ, ການສູນເສຍພະລັງງານຫນ້ອຍ,...

DLC75B0R1BW501XT Ultra Low ESR RF Capacitor

DLC75B0R1BW501XT Ultra Low ESR RF Capacitor ເປັນອົງປະກອບທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງທີ່ອອກແບບມາສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີຄວາມຖີ່ສູງທີ່ຕ້ອງການຄຸນລັກສະນະໄຟຟ້າພິເສດແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖື. ຂໍ້ໄດ້ປຽບຫຼັກຂອງມັນປະກອບມີຄວາມຕ້ານທານຊຸດທຽບເທົ່າສູງສຸດ (ESR)...

ROSA/TOSA Wideband RF Capacitor

0402BB.040"x.020")0402BB104KW500 Wideband RF Capacitor ຊຸດຂອງຕົວເກັບປະຈຸນີ້ມີຊ່ວງຄວາມຖີ່ຂອງການໃຊ້ງານທີ່ກວ້າງສຸດ, ມີຊ່ວງປົກກະຕິຕັ້ງແຕ່ 16 kHz (-3 dB) ເຖິງ 50 GHz. ມັນສະຫນອງການສູນເສຍການແຊກຊຶມປົກກະຕິຫນ້ອຍກວ່າ 1.2 dB ທີ່ 50 WVDC....

Wideband RF Capacitor ກັບປະສິດທິພາບທີ່ດີເລີດ

01005BB(010"x.005")ຕົວເກັບປະຈຸ RF Wideband ພາບລວມຂອງຜະລິດຕະພັນ ພັດທະນາໂດຍບໍລິສັດ Dalicap Technology Co., Ltd., BB series broadband capacitors ມີສີ່ຂະຫນາດຂອງກໍລະນີ (in inches): 01005, 0201, 0402, ແລະ 0805, ທີ່ມີຄ່າ capacitance 10nF (103)...

BLC9H10XS-350A RF MOSFET LDMOS 50V SOT1273

ຈໍານວນສ່ວນ : BLC9H10XS-350A ຜູ້ຜະລິດ: Ampleon ປະເພດອຸປະກອນ: LDMOS ລຸ້ນທີ 9, 350 W asymmetric Doherty RF power transistor, ປັບໃຫ້ເໝາະສົມສຳລັບເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງຂັ້ນສຸດທ້າຍ 617–960 MHz sub-1GHz 4G/5G macro base station. ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ ຊ່ວງຄວາມຖີ່: 617 MHz...

BLC9H10XS-500A RF MOSFET LDMOS 48V SOT1273-1

ເລກສ່ວນ : BLC9H10XS-500A ຜູ້ຜະລິດ: Ampleon ປະເພດອຸປະກອນ: LDMOS ລຸ້ນທີ 9, 500 W asymmetric Doherty RF power transistor, ປັບໃຫ້ເໝາະສົມສຳລັບເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງຂັ້ນສຸດທ້າຍ 617–960 MHz sub-1GHz 4G/5G macro base station. ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ ຊ່ວງຄວາມຖີ່: 617 MHz ~...

ສູງ RF Power Ceramic Capacitor ຄ່າ Q ສູງ

DLC70 ສູງ RF ພະລັງງານ Ceramic Capacitor ຄຸນ​ນະ​ສົມ​ບັດ​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ​: ຄ່າ Q ສູງ, RF ສູງໃນປະຈຸບັນ / ແຮງດັນ, ພະລັງງານ RF ສູງ, ຕ່ໍາ ESR / ESL, ສຽງຕ່ໍາ. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຜະລິດຕະພັນ: ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ RF ສູງ, ເຄືອຂ່າຍຕົວກອງພະລັງງານສູງ, ເສົາອາກາດ demodulation,...