C4H18W500A RF MOSFET 48V SOT1273

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ

• ຊ່ວງຄວາມຖີ່: 1800 MHz ~ 2000 MHz
• ແຮງດັນໄຟຟ້າ: 48 V (ປະເພດ)
• ພະລັງງານອອກສູງສຸດ: 500 W
• ການຮັບພະລັງງານ: 15.0 dB (ປະເພດ)
• ປະສິດທິພາບການລະບາຍນໍ້າ: 59% (ປະເພດ)
• ການຫຸ້ມຫໍ່: SOT1258-4, ຊຸດອາກາດຢູ່ຕາມໂກນ flange earless
• ການຕັ້ງຄ່າ: ປະສົມປະສານ Doherty ບໍ່ສົມມາທິກັບການເຂົ້າກັນໃນຊິບ
• ຄຸນ​ນະ​ສົມ​ບັດ​ຕົ້ນ​ຕໍ​: ເຕັກ​ໂນ​ໂລ​ຊີ GaN ປະ​ສິດ​ທິ​ພາບ​ສູງ​, ຜົນ​ກະ​ທົບ​ຄວາມ​ຈໍາ​ຕ​່​ໍ​າ​, ເຂົ້າ​ກັນ​ໄດ້ DPD​, 10: 1 VSWR ruggedness

ຄຸນສົມບັດ

1. ຮັບຮອງເອົາຂະບວນການ GaN semiconductor ກ້າວຫນ້າ, ສະຫນອງປະສິດທິພາບສູງແລະການບໍລິໂພກພະລັງງານຕ່ໍາກວ່າ LDMOS ແບບດັ້ງເດີມ;
2. ສະຖາປັດຕະຍະກຳ Doherty ທີ່ບໍ່ສົມມາທາງກັນໃນຕົວ, ປັບແຕ່ງໄດ້ຢ່າງສົມບູນແບບສຳລັບສັນຍານ 5G NR ແລະ LTE ຫຼາຍສາຍ PAPR ສູງ;
3. ເຄືອ​ຂ່າຍ​ທີ່​ສອດ​ຄ້ອງ​ກັນ​ການ​ປ້ອນ​ຂໍ້​ມູນ wideband ຫຼຸດ​ຜ່ອນ​ອົງ​ປະ​ກອບ RF ພາຍນອກ​ແລະ​ເລັ່ງ​ການ​ອອກ​ແບບ​;
4. ຜົນ​ກະ​ທົບ​ຄວາມ​ຈໍາ​ຕ​່​ໍ​າ​ເຮັດ​ໃຫ້​ແນ່​ໃຈວ່​າ​ເສັ້ນ​ທີ່​ດີ​ເລີດ​ຫຼັງ​ຈາກ​ການ​ແກ້​ໄຂ DPD​;
5. ຄວາມທົນທານສູງທີ່ມີຄວາມທົນທານຕໍ່ການໂຫຼດບໍ່ກົງກັນເຕັມເຟດ 10: 1 ສໍາລັບການດໍາເນີນງານຂອງສະຖານີຖານໃນໄລຍະຍາວທີ່ຫມັ້ນຄົງ;
6. ຊຸດ flanged ທີ່ດີທີ່ສຸດທີ່ມີການກະຈາຍຄວາມຮ້ອນທີ່ເຫນືອກວ່າສໍາລັບການດໍາເນີນງານທີ່ມີພະລັງງານສູງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປ

• ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງສຸດທ້າຍຂອງສະຖານີຖານ Macro ສໍາລັບແຖບ 5G n39/n40 ແລະ 4G B39/B40
• Broadband ເຄືອຂ່າຍເອກະຊົນລະບົບ RF transmitter
• ໂມດູນເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ RF linear ພະລັງງານສູງ

ຄໍານິຍາມເລກສ່ວນ

• C4：ອຸປະກອນພະລັງງານ GaN, ເວທີ 48V
• H18:1.8GHz ຄວາມຖີ່ຄອບຄຸມ (1800–2000MHz)
• ພະລັງງານສູງສຸດ W500: 500 ວັດ
• A​: ການ​ຕັ້ງ​ຄ່າ Doherty Asymmetric