Mr. 陈

ຂ້ອຍຈະເຮັດແນວໃດເພື່ອເຈົ້າ?
+86 17287775445

ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້

Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.

ລາວ

WhatsApp:
+86 17287775445

ອີເມວ:870630590@qq.com

ຫນ້າທໍາອິດ> ຜະລິດຕະພັນ> RF Power Transistor> ພະລັງງານ LDMOS Transistor> BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z RF MOSFET LDMOS

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z RF MOSFET LDMOS

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z RF MOSFET LDMOS

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z RF MOSFET LDMOS

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z RF MOSFET LDMOS

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z RF MOSFET LDMOS

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z RF MOSFET LDMOS

BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z RF MOSFET LDMOS

Get Latest Price

Min ຄໍາສັ່ງ:

1

ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້

ລາຍະລະອຽດສິນຄ້າ

ຄຸນລັກສະນະຂອງ�...

ການຫຸ້ມຫໍ່ແລະ�...

ລາຍະລະອຽດສິນຄ�...

ຄຸນລັກສະນະຂອງ�...

ຮຸ່ນ No: BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z

ຍີ່ຫໍ້: AMPLEON

ການຫຸ້ມຫໍ່ແລະ�...

The file is encrypted. Please fill in the following information to continue accessing it

ລາຍະລະອຽດສິນຄ�...

BLC2425M9LS250 ແມ່ນ 250 W LDMOS RF power transistor ຜະລິດໂດຍ Ampleon, ອອກແບບໂດຍສະເພາະສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີພະລັງງານສູງຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງ (CW) ໃນແຖບ 2400–2500 MHz (2.45 GHz ISM). ມັນຖືກຫຸ້ມຫໍ່ຢູ່ໃນຊຸດພາດສະຕິກທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ (SOT1270-1 / SOT539B).

ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ
- ພະລັງງານສູງແລະປະສິດທິພາບ: ພະລັງງານຜະລິດຕະພັນ 260 W ທີ່ 2450 MHz, ເພີ່ມພະລັງງານ 18.5 dB, ປະສິດທິພາບການລະບາຍ 68% (VDS = 32 V, IDQ = 100 mA).
- ຄວາມທົນທານທີ່ໂດດເດັ່ນ: ທົນທານຕໍ່ 20: 1 VSWR load mismatch ທີ່ແຮງດັນການສະຫນອງ 32 V ເພື່ອຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນ.
- ການປົກປັກຮັກສາປະສົມປະສານແລະການຈັບຄູ່: ການປົກປັກຮັກສາ ESD ໃນຕົວ; 50 Ω ຂາເຂົ້າ / ຜົນຜະລິດທີ່ຈັບຄູ່ພາຍໃນສໍາລັບການອອກແບບວົງຈອນ RF ທີ່ງ່າຍດາຍໂດຍບໍ່ມີເຄືອຂ່າຍການຈັບຄູ່ທີ່ສັບສົນເພີ່ມເຕີມ.
- ລະດັບຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງອຸດສາຫະກໍາ: ແຮງດັນໄຟຟ້າສູງສຸດ 65 V, ຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມຂອງຈຸດສູງສຸດ 225 ° C, ເຫມາະສໍາລັບສະພາບແວດລ້ອມການເຮັດວຽກທີ່ຮຸນແຮງ.
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທົ່ວໄປ
- ອຸປະກອນເຮັດໃຫ້ຄວາມຮ້ອນ microwave ທາງການຄ້າ / ການບໍລິໂພກ (ເຕົາອົບໄມໂຄເວ, ລະບົບ defrosting ອຸດສາຫະກໍາ)
- ອຸດສາຫະກໍາ, ວິທະຍາສາດ, ແລະທາງການແພດ (ISM) ລະບົບເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງ RF
- ອຸປະກອນສົ່ງພະລັງງານສູງ 2.45 GHz CW (ເຊັ່ນ: ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ RF, ເຄື່ອງອົບແຫ້ງ)
- ຂັ້ນຕອນການຂະຫຍາຍພະລັງງານໃນລະບົບການສື່ສານຫຼາຍສາຍ
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ
- ຊ່ວງຄວາມຖີ່: 2400–2500 MHz
- ກໍາລັງຜົນຜະລິດ (CW): 250 W (ປະເພດ. 260 W)
- ການຮັບພະລັງງານ: 17.5 dB (ປະເພດ 18.5 dB)
- ປະສິດທິພາບການລະບາຍນ້ຳ: 68% (ປະເພດ)
- ແຮງດັນໄຟຟ້າ: 32 V (DC)
- ແຮງດັນໄຟຟ້າສູງສຸດ: 65 V
- ການຫຸ້ມຫໍ່: SOT1270-1 (ຊຸດພາດສະຕິກ 3-pin)

ຜະລິດຕະພັນຮ້ອນ

Ampleon BLP15H9S100G BLP15H9S100GZ LDMOS

Ampleon BLP15H9S100G BLP15H9S100GZ LDMOS

ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້

BLF974P BLF974PU ພະລັງງານສູງ LDMOS

BLF974P BLF974PU ພະລັງງານສູງ LDMOS

ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້

BLP15M9S70G BLP15M9S70GZ RF MOSFET LDMOS

BLP15M9S70G BLP15M9S70GZ RF MOSFET LDMOS

ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້

BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF MOSFET LDMOS

BLP0408H9S30 BLP0408H9S30Z RF MOSFET LDMOS

ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້

B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF Mosfet LDMOS

B10G4750N12DL B10G4750N12DLZ RF Mosfet LDMOS

ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້

RF MOSFET Transistors BLC10G27XS-551AVT

RF MOSFET Transistors BLC10G27XS-551AVT

ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້

BLC10G18XS-301AVT RF MOSFET LDMOS

BLC10G18XS-301AVT RF MOSFET LDMOS

ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້

BLM10D1822-60ABGZ RF MOSFET LDMOS

BLM10D1822-60ABGZ RF MOSFET LDMOS

ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້

BLC10G18XS-552AVT RF MOSFET LDMOS

BLC10G18XS-552AVT RF MOSFET LDMOS

ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້

BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS

BLC10G18XS-602AVT RF MOSFET LDMOS

ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້

ຫນ້າທໍາອິດ> ຜະລິດຕະພັນ> RF Power Transistor> ພະລັງງານ LDMOS Transistor> BLC2425M9LS250 BLC2425M9LS250Z RF MOSFET LDMOS

ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ

Mr. 陈

ອອກຈາກຂໍ້ຄວາມ

ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້

ຕິດຕໍ່ຕອນນີ້

ສົ່ງສອບຖາມ

*

*

ພວກເຮົາຈະຕິດຕໍ່ຫາທ່ານຢ່າງໄວວາ

ຕື່ມຂໍ້ມູນໃສ່ໃນຂໍ້ມູນເພີ່ມເຕີມເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຮັບການສໍາພັດກັບທ່ານໄວຂື້ນ

ຖະແຫຼງການຄວາມເປັນສ່ວນຕົວ: ຄວາມເປັນສ່ວນຕົວຂອງທ່ານມີຄວາມສໍາຄັນຫຼາຍຕໍ່ພວກເຮົາ. ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາສັນຍາວ່າຈະເປີດເຜີຍຂໍ້ມູນສ່ວນຕົວຂອງທ່ານໃຫ້ກັບການອະນຸຍາດທີ່ຊັດເຈນຂອງທ່ານ.

ຊື່

ໂທລະສັບມືຖື

ຊື່ບໍລິສັດ

ການຮ້ອງຂໍ:

ສົ່ງ