Shenzhen Tongxinke Electronic Technology Co., Ltd.: ຊ່ຽວຊານໃນອຸປະກອນພະລັງງານ RF, ສ້າງຄວາມເຂັ້ມແຂງ 5G / 6G ການຍົກລະດັບອຸດສາຫະກໍາການສື່ສານ

ຂໍ້ມູນບໍລິສັດ

ຂໍ້ໄດ້ປຽບຫຼັກ

• ✅ ຊ່ອງທາງການສະຫນອງຂອງໂຮງງານໂດຍກົງ: ຄູ່ຮ່ວມງານທີ່ຫມັ້ນຄົງໃນໄລຍະຍາວກັບຜູ້ຜະລິດ RF semiconductor ຊັ້ນນໍາຂອງໂລກ
• ✅ ທີມງານວິຊາການມືອາຊີບ: ປະກອບດ້ວຍວິສະວະກອນ RF ອາວຸໂສເພື່ອສະຫນອງການສະຫນັບສະຫນູນການຄັດເລືອກແລະການໃຫ້ຄໍາປຶກສາດ້ານວິຊາການ
• ✅ ສິນຄ້າຄົງຄັງຈຸດທີ່ພຽງພໍ: ຫຼັກຊັບປົກກະຕິຂອງ Ampleon ເຕັມຊຸດ LDMOS, GaN ແລະຕົວເກັບປະຈຸ RF.
• ✅ ບໍລິການຕອບໂຈດດ່ວນ: ຈັດສົ່ງດ່ວນ 72 ຊົ່ວໂມງ, ສັ່ງດ່ວນ 24 ຊົ່ວໂມງ.

ງານວາງສະແດງຜະລິດຕະພັນຫຼັກ

1. Ampleon Full-Series RF ອຸປະກອນພະລັງງານ

• LDMOS Transistors: ກວມເອົາ 1MHz-4GHz, ພະລັງງານ 20W-4000W, ເຫມາະສໍາລັບສະຖານີຖານ, ການກະຈາຍສຽງ, ຄວາມຮ້ອນອຸດສາຫະກໍາ
• GaN HEMT Transistors: ຂະບວນການ GaN-on-SiC, ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງພະລັງງານສູງແລະປະສິດທິພາບ, ເຫມາະສົມສໍາລັບ 5G / 6G ແລະ radar.
• Doherty MMICs ປະສົມປະສານ: 2-stage/3-stage ປະສົມປະສານຢ່າງເຕັມສ່ວນ, ເຮັດໃຫ້ການອອກແບບ PA ງ່າຍຂຶ້ນ, ເຫມາະສົມສໍາລັບ Massive MIMO
• ໂມດູນ RF: ໂມດູນເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງທີ່ປະສົມປະສານສູງ, ເຫມາະສໍາລັບສະຖານີຖານຂະຫນາດນ້ອຍແລະລະບົບການແຈກຢາຍພາຍໃນເຮືອນ.

2. ອົງປະກອບ RF Passive ລະດັບສູງ

• ພະລັງງານສູງ RF MLCC: ຊຸດ DLC70G ຊຸດ 7575, C0G dielectric, ສູງ Q ແລະ ESR ຕ່ໍາ.
• Ultra Low ESR RF Capacitors: 10-50mΩ @ 1GHz, ເຫມາະສໍາລັບການຈັບຄູ່ເຄື່ອງຂະຫຍາຍສຽງທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງ.
• Broadband RF Capacitors: ກວມເອົາ DC-20GHz, ການສູນເສຍການແຊກຕ່ໍາ, ປະສິດທິພາບໄຟຟ້າທີ່ຫມັ້ນຄົງ
• ຕົວເກັບປະຈຸເຊລາມິກຊັ້ນດຽວ: ມູນຄ່າ Q ສູງ, ເຫມາະສໍາລັບວົງຈອນໄມໂຄເວຟແລະການກັ່ນຕອງ.

ຂ່າວລ່າສຸດ: ຜະລິດຕະພັນໃໝ່ຂອງ Ampleon 2026 ມີຢູ່ໃນສະຕັອກເຕັມ

• ອອກແບບສໍາລັບສະຖານີຖານມະຫາພາກ 6G, ປັບປຸງເສັ້ນສາຍ ແລະປະສິດທິພາບຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ
• ຮອງຮັບ 5G/6G ຫຼາຍຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ ແລະສັນຍານອັດຕາສ່ວນສູງສຸດຫາສະເລ່ຍ
• ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຊັບຊ້ອນຂອງລະບົບໂດຍລວມ ແລະເລັ່ງການຄົ້ນຄວ້າ ແລະການນຳໃຊ້ 6G ກ່ອນ

2.4GHz 66% Ultra-High Efficiency Transistor GaN-SiC (CLP24H4S30P)

• ປະສິດທິພາບການລະບາຍນ້ໍາ 66% ນໍາພາອຸດສາຫະກໍາ
• ຜົນຜະລິດຄື້ນຕໍ່ເນື່ອງ 30W, ເພີ່ມ 18.4dB
• ການທົດແທນໂດຍກົງສໍາລັບແມ່ເຫຼັກແບບດັ້ງເດີມ, ເຫມາະສົມສໍາລັບການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນອຸດສາຫະກໍາແລະອຸປະກອນທາງການແພດ

1.8-2.2GHz ແຮງດັນສູງ LDMOS Macro Driver Platform (B10H1822N60D)

• ສະຖາປັດຕະຍະກໍາ Doherty MMIC ປະສົມປະສານ
• ເຮັດໃຫ້ການອອກແບບ PA ງ່າຍດາຍ, ປັບປຸງປະສິດທິພາບ ແລະຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍ BOM
• ເໝາະສຳລັບ 4G/5G macro base station RRUs ແລະ Massive MIMO

200W ອຸດສາຫະກໍາ LDMOS RF Transistor (B10H200N20D)

• 200W @ 2GHz, ສູງ ruggedness ແລະປະສິດທິພາບ
• ເຫມາະສໍາລັບແຖບ ISM, ການສື່ສານການກະຈາຍສຽງແລະການສື່ສານເຄືອຂ່າຍເອກະຊົນ

ສະຖານະການຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

ໂຄງສ້າງພື້ນຖານການສື່ສານ

• 5G/6G macro ແລະສະຖານີຖານຂະຫນາດນ້ອຍ
• ໜ່ວຍວິທະຍຸທາງໄກ RRU
• ຂະໜາດໃຫຍ່ MIMO RF ດ້ານໜ້າ
• ລະບົບການແຈກຢາຍພາຍໃນ

ອຸດສາຫະກຳ ແລະວິທະຍາສາດ

• ການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນແລະການອົບແຫ້ງ RF ອຸດສາຫະກໍາ
• ການປຸງແຕ່ງ plasma
• ອຸປະກອນ RF ທາງການແພດ
• ເຄື່ອງເລັ່ງອະນຸພາກ

ຍານອາວະກາດ & ປ້ອງກັນປະເທດ

• ລະບົບ Radar
• ການສື່ສານຜ່ານດາວທຽມ
• ອຸປະກອນສົງຄາມເອເລັກໂຕຣນິກ
• ການສື່ສານການບິນ

ສັນຍາການບໍລິການ

• ຮັບປະກັນຂອງແທ້ 100% ຕົ້ນສະບັບ: ຜະລິດຕະພັນທັງຫມົດມາຈາກໂຮງງານຕົ້ນສະບັບຫຼືຊ່ອງທາງທີ່ໄດ້ຮັບອະນຸຍາດ
• ສະຫນັບສະຫນູນດ້ານວິຊາການເປັນມືອາຊີບ: ທີມງານວິສະວະກອນຊ່ວຍໃນການຄັດເລືອກຜະລິດຕະພັນແລະສະຫນອງການແກ້ໄຂທາງເລືອກ
• ຮູບແບບການຈັດຊື້ແບບຍືດຫຍຸ່ນ: ສະຫນັບສະຫນູນຕົວຢ່າງຊຸດຂະຫນາດນ້ອຍແລະຄໍາສັ່ງທີ່ມີຂະຫນາດໃຫຍ່
• ບໍລິການຫຼັງການຂາຍທີ່ສົມບູນແບບ: ຕອບສະຫນອງໄວຕໍ່ບັນຫາຂອງລູກຄ້າແລະແກ້ໄຂຄວາມກັງວົນ